05/08/2026
YRG 有5篇研究論文獲選於IRMMW-THz 2026發表,第五篇來介紹本實驗室碩士生樂承祥發表的論文。
論文名稱:Material-Adaptive Terahertz Characterization of Thin-Film Semiconductors Using Interchangeable Time-Domain Spectroscopy and Ellipsometry
薄膜半導體的片電阻、載子濃度與遷移率,是評估材料電性的重要參數。傳統霍爾量測通常需要製作歐姆接觸,且對於多層結構中的極薄或埋藏導電層,量測結果可能不易直接對應至特定材料層。
本研究整合穿透式太赫茲時域光譜(THz-TDS)與反射式太赫茲橢圓偏振量測,建立一套可依樣品結構選擇量測方式的太赫茲電性分析平台。對於太赫茲波較容易穿透的導電磊晶薄膜,採用穿透式THz-TDS;對於極薄且埋藏於多層結構中的導電通道,則採用太赫茲橢圓偏振量測,以取得P偏振與S偏振的反射訊號。此設計主要希望提升系統面對不同半導體結構時的量測彈性。
在資料分析方面,首先將量測得到的太赫茲時域訊號轉換至頻域,以取得振幅與相位資訊。接著利用光學傳輸矩陣法(Optical Transfer Matrix Method, OTMM)建立多層材料模型,並比對模擬與實驗結果,以估算目標材料層的複數折射率及複數導電率。之後再結合Drude模型,推算片電阻、載子濃度與遷移率等電性參數。
本研究以兩種不同的半導體結構進行初步驗證,包括藍寶石基板上的n型氮化鎵薄膜,以及氮化鎵高電子遷移率電晶體中的二維電子氣層。n型氮化鎵薄膜採用穿透式THz-TDS進行分析;二維電子氣層則採用太赫茲橢圓偏振量測,以提高對薄層反射響應的分析能力。由太赫茲量測所推算的電性參數,與霍爾量測結果呈現相近的趨勢與數值,顯示此方法具有進一步研究的可行性。
整體而言,本研究提出一種依照樣品厚度、基板穿透性及導電層位置選擇量測模式的方法。相較於需要製作接觸電極的霍爾量測,太赫茲量測具有非接觸與非破壞的特性,並有機會應用於不同薄膜及多層半導體結構的電性評估。未來可再透過更多材料、樣品數量及量測條件,進一步確認系統的準確度、穩定性與實際應用範圍。
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