아이브이웍스

17/10/2025

질화갈륨(GaN) 에피웨이퍼를 기반으로 한 청정 수소 생산이 멀지 않았습니다.

어제 오전, 국회 의원회관에서 '인공 광합성 수소 산업화 전략' 세미나가 열렸습니다. 아이브이웍스는 태양광 기반 수소 생산의 핵심 촉매 역할을 하는 InGaN/GaN 나노와이어의 대구경 양산 기술을 소개했습니다. 이번 세미나는 인공 광합성 기반 청정 수소 기술의 산업화 가능성과 제도적 지원 방안을 모색하기 위한 자리입니다.

아이브이웍스의 대구경 에피웨이퍼를 기반으로 태양광과 물만으로 수소를 생산하는 그린 수소의 시대를 기대해 주시기 바랍니다.

16/09/2025

아이브이웍스 노영균 대표의 인터뷰가 공개되었습니다. 아이브이웍스는 최근 발표한 세계 최초 8인치 RF GaN on SiC 개발과 더불어, AI 기반 에피웨이퍼 생산 시스템(Domm ai)으로 주목 받고 있습니다. 인터뷰 전문은 전자신문 온라인과 지면에서 확인하실 수 있습니다.

“반도체 산업은 역사적으로 모두 '대구경화(大口徑化)'를 거쳐왔습니다. 질화갈륨(GaN) 기반 에피웨이퍼 시장 역시 결국 누가 먼저 8인치를 안정적으로 적용하느냐 경쟁이 될 것입니다.” GaN 반도체가 주목받고 있다. 인공지능(A...

15/09/2025

아이브이웍스가 지난 10일 레이더 증폭기용 8인치 에피웨이퍼 개발에 성공했습니다. 8인치 대구경 GaN on SiC 개발은 이번이 세계 최초입니다. 자세한 내용은 아래 기사를 확인해 주시기 바랍니다.

질화갈륨(GaN) 반도체 소재 기업 아이브이웍스는 세계 최초로 레이더 증폭기용 8인치 GaN-on-SiC 에피웨이퍼 개발에 성공했다고 10일 밝혔다.GaN 소재는 전력변환용(GaN-on-Si)과 증폭기용(GaN-on-SiC)으로 구분된다. 전력변환용의 경우 8인...

18/07/2025

에피 성장에 특화된 ?

DOMM-AI의 대형 언어 모델( )은 박막 성장 과정에서 발생하는 복잡한 공정 변수에 대해 원인 추론과 비교 분석, 해결책 제시 등 수만 건의 실험 데이터를 기반으로 유연하고 신뢰성 높은 답변을 제공합니다.

- 진공도가 높은데 어떤 조치를 취해야 해?
- Strain은 낮추고 두께는 늘리려면 어떤 조건을 써야 해?
- 올해 초 AFM이 급격히 증가한 구조는?

이는 엔지니어에게 정확한 업무 방향과 선택에 대한 확신을 제공합니다. 해당 서비스는 #아이브이웍스 AI팀에서 자체 개발하여, 현재 자사 생산 플랫폼에 본격 적용을 앞두고 있습니다.

30/05/2025

RF, 고주파 디바이스 성능은 에피웨이퍼로부터 시작됩니다. 전 세계 9,000명 이상 RF 및 마이크로파 커뮤니티 회원들과 소통하는 IMS2025 전시회에 올해도 아이브이웍스가 참가합니다!

부스 1765번에서는 고주파, 고출력 통신 소자용 AlN HEMT on SiC 에피웨이퍼를 비롯, 접촉 저항 감소와 전기적 특성 개선이 가능한 Selective Regrowth 서비스 등 아이브이웍스의 다양한 고품질 GaN 에피솔루션을 만나보실 수 있습니다. 여러 차례 검증된 상용 에피 기술과 AI 기반 생산 시스템에 관심 있는 모든 분들의 방문을 환영합니다 오는 6월 Moscone Center에서 만나요!
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The performance of RF and high-frequency devices begins with the epiwafer. IVWorks will be exhibiting again at , where over 9,000 members of the global RF and microwave community gather. At , we will showcase our high-quality GaN epi solutions, including AlN HEMT on SiC epiwafers for high-frequency, high-power communication devices, and our Selective Regrowth service that reduces contact resistance and enhances electrical performance.

We welcome all visitors interested in our commercialized epi technology, proven through multiple deployments, as well as our AI-powered production system. Let’s meet in person this June at the Moscone Center.
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간단한 제품 정보를 확인하실 수 있습니다 :
You can preview our products here : https://www.domm.ai/epidesign

기술미팅은 아래 링크에서 신청하실 수 있습니다 :
To schedule a technical meeting, please use the link below: https://zcal.co/ivworks/meetingschedule

30/04/2025

화합물 반도체 소재 개발은 여전히 긴 시간과 수많은 실험이 필요한 일입니다. 아이브이웍스는 AI를 통해 이 과정을 지능적이고 효율적이게 바꾸는 시도를 계속 해왔고, 모든 공정에 순차적인 개발과 적용을 이어오고 있습니다. 그리고 이 모든 것을 통합한 AI-Agents를 구축합니다.

AI Agents는 스스로 사고하고 연구를 수행하는 능동적인 AI입니다. 이 글에서는 AI 에이전트의 개념과 구조, 그리고 이점과 한계 그리고 반도체 소재라는 극도로 복잡한 영역에서의 에이전트 도입에 대한 인사이트를 다룹니다. 자세한 내용은 아이브이웍스 블로그에서 만나보세요!

지브리 스타일로 만들어줘! 계속되는 AI 열풍 요 며칠 지브리 스타일 이미지에 대한 의견이 뜨거웠다. 챗...

17/02/2025

전기적 특성 개선을 통해 반도체 디바이스 성능을 극대화하는 , 엔지니어들이 '직접' 빠르고 쉽게 Regrowth를 알려드려요. 자세한 내용은 아이브이웍스 유튜브에서 확인하실 수 있습니다.

전기적 특성 개선을 통해 반도체 디바이스의 성능을 극대화할 수 있다는 Selective Area Regrowth, 영상을 통해 자세한 내용을 확인하세요.00:00 오프닝01:29 Regrowth?03:38 Hybrid-MBE04:42 n⁺-GaN Selective Regrowth0...

05/02/2025

GaN과 SiC, 두 소재의 관계에 대한 정의는 전력반도체 시장에서 여전히 논의되는 중요한 주제 중 하나입니다. 공존의 관계인지, 경쟁의 관계인지에 대한 시각은 다양하지만, 결국 중요한 것은 각 소재의 강점이 어떻게 활용되어 미래 산업에 영향을 미칠 것인가입니다.

이에 대한 흥미로운 시각을 담은 글을 소개합니다. 아이브이웍스 블로그에서 만나보세요!👩‍💻

어릴 적 오락실에 가면 빨, 노, 파 버튼을 연타하는 게임이 있었다. 버튼을 빨리 누를수록 캐릭터의 달리기...

13/12/2024

IVWorks의 n+GaN 선택적 재성장 기술은 접촉 저항을 효과적으로 줄이고 전기적 특성을 개선하여 고품질 에피택시 서비스를 제공합니다. 이 혁신은 반도체 산업에서 디바이스 성능을 극대화하고 효율성과 신뢰성을 향상시키는 데 크게 기여합니다.
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🔽 자세한 내용은 아래 링크에서 확인해 주세요.
https://buly.kr/DlIRlzI

10/12/2024

지난 10월, IVWorks의 연구팀은 고주파, 고출력 통신을 혁신하도록 설계된 SiC 에피웨이퍼에 새로운 AlN HEMT를 도입했습니다. 향상된 열 방출, 향상된 누설 전류 및 우수한 항복 전압을 갖춘 이 혁신적인 솔루션은 고급 통신 장치의 성능에 새로운 가능성을 열어줍니다.
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🔽 자세한 내용은 아래 링크에서 확인해 주세요.

IVWorks’ research team unveiled a new AlN HEMT on SiC Epiwafer for high-frequency, high-power communication devices.

04/12/2024

이번 International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN24) 현장에서 발표된 "In-situ Epitaxial Growth Analaysis in MET Process Using RHEED Data-driven In-plane Lattice Spacing Deep Learning Model" 연구 내용을 확인하세요.

[IWN 2024] In-situ Epitaxial Growth Analaysis in MET Process Using RHEED Data-driven In-plane Lattice Spacing Deep Learning Model00:00 자기소개 Introduction00:08...

27/11/2024

이번 International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN24) 현장에서 발표된 "InAlN Barrier Thickness in InAlN/GaN Heterostructure on 4" SiC Substrate by Hybrid-MBE" 연구 내용을 확인하세요.

[IWN 2024] A study on the thickness of InAlN barrier in the InAlN/GaN heterostructure grown on 4" SiC substrateby Hybird-MBE00:00 자기소개 Introduction00:10 연구배경...