18/08/2026
To właśnie na University of Maryland swoje naukowe horyzonty kreślili tacy wybitni badacze jak John C. Mather (laureat Nagrody Nobla w dziedzinie fizyki z 2006 roku) czy Raymond Davis Jr. (noblista z 2002 roku). W tak prestiżowym otoczeniu, podczas szóstej edycji International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials (IWGO-6) zorganizowanej przez American Vacuum Society (AVS) nasi doktoranci z Łukasiewicz - Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki zaprezentowali wyniki badań, które rzucają nowe światło na możliwości tlenku galu (Ga2O3).
Tlenek galu to materiał o ultraszerokiej przerwie energetycznej, kluczowy dla urządzeń nowej generacji pracujących przy bardzo wysokich napięciach. Jednak sukces technologii zależy nie tylko od samego materiału, ale od precyzji np. procesów trawienia powierzchni.
Nasz Instytut reprezentowali naukowcy z Grupy Badawczej Technologia GaN czujniki struktury cienkowarstwowe i materiały porowate, którzy, dzięki finansowaniu z projektu WBG Pilotline uczestniczyli w wydarzeniu. Udział w IWGO-6 był doskonałą okazją do zaprezentowania wyników prowadzonych badań, wymiany doświadczeń oraz nawiązania kontaktów z naukowcami i przedstawicielami przemysłu zajmującymi się technologią tlenku galu.
🔹 Wojciech Hendzelek przedstawił poster "Comparison of NiO/β-Ga₂O₃ Heterojunction Diodes Fabricated Using Planar and Confocal RF Magnetron Sputtering Systems, w którym porównał diod heterozłączowych NiO/β-Ga₂O₃" wytwarzanych z wykorzystaniem dwóch konfiguracji rozpylania magnetronowego. Badania pokazały, jak sposób osadzania warstwy tlenku niklu wpływa m.in. na prąd przewodzenia, współczynnik idealności diod oraz ich napięcie przebicia.
🔹 Aleksandra Wójcicka zaprezentowała w trakcie sesji plakatowej "Enhanced Surface Engineering and Deep Mesa Etching in Vertical Ru-Si-O/β-Ga₂O₃ Schottky Diodes" wyniki prac nad przygotowaniem powierzchni i głębokim trawieniem struktur mesa w pionowych diodach Schottky’ego. Połączenie zoptymalizowanego trawienia i obróbki powierzchni umożliwiło uzyskanie napięcia przebicia przekraczającego 2 kV.
📍 College Park, Maryland, USA
🔬 Ga₂O₃ | Wide Bandgap Semiconductors | Semiconductor Devices